Inicio
Productos
Fabricantes
Acerca de DiGi
Contáctanos
Blogs y Publicaciones
Solicitud de Cotización/Cotización
Basque
Iniciar sesión
Idioma Selectivo
Idioma actual de tu elección
Basque
Cambiar:
Inglés
Europa
Reino Unido
Francia
España
Turquía
Moldavia
Lituania
Noruega
Alemania
Portugal
Eslovaquia
ltaly
Finlandia
Ruso
Bulgaria
Dinamarca
Estonia
Polonia
Ucrania
Eslovenia
Checo
Griego
Croacia
Israel
Serbia
Bielorrusia
Países Bajos
Suecia
Montenegro
Vasco
Islandia
Bosnia
Húngaro
Rumania
Austria
Bélgica
Irlanda
Asia / Pacífico
China
Vietnam
Indonesia
Tailandia
Laos
Filipino
Malasia
Corea
Japón
Hong-kong
Taiwán
Singapur
Pakistán
Arabia Saudí
Qatar
Kuwait
Camboya
Myanmar
África, India y Oriente Medio
Emiratos Árabes Unidos
Tayikistán
Madagascar
India
Irán
República Democrática del Congo
Sudáfrica
Egipto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marruecos
Túnez
América del Sur / Oceanía
Nueva Zelanda
Angola
Brasil
Mozambique
Perú
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
América del Norte
Estados Unidos
Haití
Canadá
Costa Rica
México
Acerca de DiGi
Sobre Nosotros
Sobre Nosotros
Nuestras Certificaciones
DiGi Introducción
Por qué DiGi
Política
Política de Calidad
Términos de uso
Cumplimiento con RoHS
Proceso de Devolución
Recursos
Categorías de Productos
Fabricantes
Blogs y Publicaciones
Servicios
Garantía de calidad
Método de Pago
Envío Global
Tarifas de Envío
Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
NP100P06PDG-E1-AY
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
Número de pieza:
NP100P06PDG-E1-AY-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 100A (Tc) 1.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
12859983
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nombre de contacto
*
Teléfono
*
Correo electrónico
Dirección de entrega
Mensaje
(
*
) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
NP100P06PDG-E1-AY Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
15000 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
NP100P06
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
NP100P06PDG
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
NP100P06PDG-E1-AY-DG
2832-NP100P06PDG-E1-AY
559-NP100P06PDG-E1-AYCT
-1161-NP100P06PDG-E1-AYCT
559-NP100P06PDG-E1-AYTR
559-NP100P06PDG-E1-AYDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SUM110P06-07L-E3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
99907
NÚMERO DE PIEZA
SUM110P06-07L-E3-DG
PRECIO UNITARIO
1.59
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPB60R060C7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 35A TO263-3
HAT2116H-EL-E
MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
NTMFS4839NHT1G
MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN
IRFI540GPBF
MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3