Número de Producto del Fabricante:
NP109N055PUK-E1-AY
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
Número de pieza:
NP109N055PUK-E1-AY-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 110A (Tc) 1.8W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventario:
1560 Pcs Nuevos Originales En Stock
12861253
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ENVIAR
NP109N055PUK-E1-AY Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
110A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
189 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11250 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
NP109N055
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
-1161-NP109N055PUK-E1-AYCT
559-NP109N055PUK-E1-AYCT
NP109N055PUK-E1-AY-DG
559-NP109N055PUK-E1-AYTR
559-NP109N055PUK-E1-AYDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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