Número de Producto del Fabricante:
NP32N055SDE-E1-AZ
Product Overview
Fabricante:
Renesas
Número de pieza:
NP32N055SDE-E1-AZ-DG
Descripción:
NP32N055SDE-E1-AZ - MOS FIELD EF
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 32A (Tc) 1.2W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
Inventario:
4000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12999572
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ENVIAR
NP32N055SDE-E1-AZ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
32A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
24mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2000 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.2W (Ta), 66W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (MP-3ZK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Información Adicional
Paquete Estándar
281
Otros nombres
2156-NP32N055SDE-E1-AZ
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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