Número de Producto del Fabricante:
NP88N04NUG-S18-AY
Product Overview
Fabricante:
Renesas
Número de pieza:
NP88N04NUG-S18-AY-DG
Descripción:
NP88N04NUG-S18-AY - MOS FIELD EF
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 88A (Tc) 1.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262
Inventario:
1450 Pcs Nuevos Originales En Stock
12987356
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ENVIAR
NP88N04NUG-S18-AY Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
88A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.4mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
15000 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
112
Otros nombres
2156-NP88N04NUG-S18-AY
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPI90N04S402AKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
453
NÚMERO DE PIEZA
IPI90N04S402AKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.25
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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