Número de Producto del Fabricante:
NP89N055NUK-S18-AY
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
Número de pieza:
NP89N055NUK-S18-AY-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 90A TO262
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 90A (Tc) 1.8W (Ta), 147W (Tc) Through Hole TO-262
Inventario:
12855354
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ENVIAR
NP89N055NUK-S18-AY Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
90A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.4mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6000 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Ta), 147W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262
Paquete / Caja
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Número de producto base
NP89N055
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPI040N06N3GXKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
500
NÚMERO DE PIEZA
IPI040N06N3GXKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.83
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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