UPA2730TP-E2-AZ
Número de Producto del Fabricante:

UPA2730TP-E2-AZ

Product Overview

Fabricante:

Renesas

Número de pieza:

UPA2730TP-E2-AZ-DG

Descripción:

UPA2730 - POWER FIELD-EFFECT TRA
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 20A (Ta), 42A (Tc) 3W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Inventario:

25000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12987009
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ENVIAR

UPA2730TP-E2-AZ Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Ta), 42A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
97 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4670 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-HSOP
Paquete / Caja
8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width)

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
305
Otros nombres
2156-UPA2730TP-E2-AZ

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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