Número de Producto del Fabricante:
UPA2766T1A-E2-AY
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
Número de pieza:
UPA2766T1A-E2-AY-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 130A 8HVSON
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 130A (Tc) 1.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-HVSON (5x5.4)
Inventario:
12857363
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ENVIAR
UPA2766T1A-E2-AY Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
130A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.82mOhm @ 39A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
257 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10850 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.5W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-HVSON (5x5.4)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
UPA2766T1A-E2-AYTR
UPA2766T1AE2AY
UPA2766T1A-E2-AYDKR
UPA2766T1A-E2-AYCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFH5301TRPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
11392
NÚMERO DE PIEZA
IRFH5301TRPBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.42
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
CSD17559Q5
FABRICANTE
Texas Instruments
CANTIDAD DISPONIBLE
1524
NÚMERO DE PIEZA
CSD17559Q5-DG
PRECIO UNITARIO
1.04
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
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