Número de Producto del Fabricante:
UPA2825T1S-E2-AT
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
Número de pieza:
UPA2825T1S-E2-AT-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 8HVSON
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 24A (Tc) 1.5W (Ta), 16.5W (Tc) Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
Inventario:
12857008
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ENVIAR
UPA2825T1S-E2-AT Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
24A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.6mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2600 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.5W (Ta), 16.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-HWSON (3.3x3.3)
Paquete / Caja
8-PowerWDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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