Número de Producto del Fabricante:
EMF4T2R
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
EMF4T2R-DG
Descripción:
TRANS DIGITAL BJT NPN/PNP 12V 10
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventario:
13003676
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ENVIAR
EMF4T2R Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de Transistores Bipolares, Pre-Biasados
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100mA, 500mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50V, 12V
Resistencia - Base (R1)
2.2kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
2.2kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
20 @ 20mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
500nA, 100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición
250MHz, 260MHz
Potencia - Máx.
150mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivos del proveedor
EMT6
Número de producto base
EMF4
Información Adicional
Paquete Estándar
8,000
Otros nombres
846-EMF4T2RTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
Certificación DIGI
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