Número de Producto del Fabricante:
EMG6T2R
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
EMG6T2R-DG
Descripción:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Inventario:
13523633
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ENVIAR
EMG6T2R Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de Transistores Bipolares, Pre-Biasados
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50V
Resistencia - Base (R1)
47kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
-
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 1mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
500nA (ICBO)
Frecuencia - Transición
250MHz
Potencia - Máx.
150mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Paquete de dispositivos del proveedor
EMT5
Número de producto base
EMG6T2
Hoja de Datos y Documentos
Recursos de diseño
Documentos de confiabilidad
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
8,000
Otros nombres
EMG6T2R-ND
EMG6T2RCT
EMG6T2RDKR
EMG6T2RTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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