Número de Producto del Fabricante:
QS6J11TR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
QS6J11TR-DG
Descripción:
MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Descripción Detallada:
Mosfet Array 12V 2A 600mW Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Inventario:
4607 Pcs Nuevos Originales En Stock
13525337
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ENVIAR
QS6J11TR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A
rds activados (máx.) @ id, vgs
105mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
770pF @ 6V
Potencia - Máx.
600mW
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivos del proveedor
TSMT6 (SC-95)
Número de producto base
QS6J11
Hoja de Datos y Documentos
Recursos de diseño
Documentos de confiabilidad
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
QS6J11TRDKR
QS6J11CT
QS6J11TRCT
QS6J11TRCT-ND
QS6J11TRDKR-ND
QS6J11DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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