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Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
QS8M12TCR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
QS8M12TCR-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 4A 1.5W Surface Mount TSMT8
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
13526085
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Cantidad
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ENVIAR
QS8M12TCR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Not For New Designs
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A
rds activados (máx.) @ id, vgs
42mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3.4nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
250pF @ 10V
Potencia - Máx.
1.5W
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivos del proveedor
TSMT8
Número de producto base
QS8M12
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
QS8M12TCRDKR
QS8M12TCRTR
QS8M12TCRCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
ECH8660-TL-H
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
2300
NÚMERO DE PIEZA
ECH8660-TL-H-DG
PRECIO UNITARIO
0.20
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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