Número de Producto del Fabricante:
R6025JNZ4C13
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
R6025JNZ4C13-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 25A TO247G
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 306W (Tc) Through Hole TO-247G
Inventario:
597 Pcs Nuevos Originales En Stock
13525312
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ENVIAR
R6025JNZ4C13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
25A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V
rds activados (máx.) @ id, vgs
182mOhm @ 12.5A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
7V @ 4.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
57 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1900 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
306W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247G
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
R6025
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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