Número de Producto del Fabricante:
R6086YNZC17
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
R6086YNZC17-DG
Descripción:
NCH 600V 33A, TO-3PF, POWER MOSF
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 33A (Tc) 114W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventario:
300 Pcs Nuevos Originales En Stock
12992399
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ENVIAR
R6086YNZC17 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
33A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V, 12V
rds activados (máx.) @ id, vgs
44mOhm @ 17A, 12V
vgs(th) (máx.) @ id
6V @ 4.6mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5100 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
114W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3PF
Paquete / Caja
TO-3P-3 Full Pack
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
300
Otros nombres
846-R6086YNZC17
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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