Número de Producto del Fabricante:
R6509ENXC7G
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
R6509ENXC7G-DG
Descripción:
650V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 9A (Ta) 48W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventario:
994 Pcs Nuevos Originales En Stock
12974246
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ENVIAR
R6509ENXC7G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
585mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 230µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
430 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
48W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220FM
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
R6509
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
846-R6509ENXC7G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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