Número de Producto del Fabricante:
R8003KNXC7G
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
R8003KNXC7G-DG
Descripción:
800V 3A, TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 3A (Ta) 36W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventario:
477 Pcs Nuevos Originales En Stock
12967379
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ENVIAR
R8003KNXC7G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.8Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 2mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
300 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
36W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220FM
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
R8003
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
846-R8003KNXC7GDKR
846-R8003KNXC7GCT
846-R8003KNXC7GTR
846-R8003KNXC7GCT-DG
846-R8003KNXC7GTR-DG
846-R8003KNXC7GDKR-DG
846-R8003KNXC7G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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