Número de Producto del Fabricante:
R8010ANX
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
R8010ANX-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 10A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventario:
13524383
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ENVIAR
R8010ANX Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
560mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1750 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220FM
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
R8010
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Documentos de confiabilidad
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
R8010ANXCT
R8010ANXCT-ND
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SPA11N80C3XKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
2180
NÚMERO DE PIEZA
SPA11N80C3XKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.26
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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CANTIDAD DISPONIBLE
50
NÚMERO DE PIEZA
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PRECIO UNITARIO
0.72
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PRECIO UNITARIO
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CANTIDAD DISPONIBLE
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PRECIO UNITARIO
1.74
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