Número de Producto del Fabricante:
RD3P02BATTL1
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RD3P02BATTL1-DG
Descripción:
PCH -100V -20A POWER MOSFET: RD3
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 20A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventario:
2440 Pcs Nuevos Originales En Stock
13005575
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ENVIAR
RD3P02BATTL1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
116mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1480 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
56W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
RD3P02
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
846-RD3P02BATTL1DKR
846-RD3P02BATTL1TR
846-RD3P02BATTL1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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