Inicio
Productos
Fabricantes
Acerca de DiGi
Contáctanos
Blogs y Publicaciones
Solicitud de Cotización/Cotización
Basque
Iniciar sesión
Idioma Selectivo
Idioma actual de tu elección
Basque
Cambiar:
Inglés
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Acerca de DiGi
Sobre Nosotros
Sobre Nosotros
Nuestras Certificaciones
DiGi Introducción
Por qué DiGi
Política
Política de Calidad
Términos de uso
Cumplimiento con RoHS
Proceso de Devolución
Recursos
Categorías de Productos
Fabricantes
Blogs y Publicaciones
Servicios
Garantía de calidad
Método de Pago
Envío Global
Tarifas de Envío
Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
RDN120N25
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RDN120N25-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 12A TO220FN
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 12A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220FN
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
13527520
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nombre de contacto
*
Teléfono
*
Correo electrónico
Dirección de entrega
Mensaje
(
*
) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
RDN120N25 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
210mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1224 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220FN
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
RDN120
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
RCX120N25
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
RCX120N25-DG
PRECIO UNITARIO
1.05
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
NÚMERO DE PARTE
STF16NF25
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
886
NÚMERO DE PIEZA
STF16NF25-DG
PRECIO UNITARIO
0.86
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
R5013ANXFU6
MOSFET N-CH 500V 13A TO220FM
RHK005N03T146
MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
R6006ANX
MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM
PI5101-01-LGIZ
MOSFET N-CH 5V 60A 3LGA