Número de Producto del Fabricante:
RF4P060BGTCR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RF4P060BGTCR-DG
Descripción:
NCH 100V 6A, HUML2020L8, POWER M
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount DFN2020-8S
Inventario:
3000 Pcs Nuevos Originales En Stock
13309349
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ENVIAR
RF4P060BGTCR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
53mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
305 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN2020-8S
Paquete / Caja
8-PowerUDFN
Número de producto base
RF4P060
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
846-RF4P060BGTCRCT
846-RF4P060BGTCRTR
846-RF4P060BGTCRDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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