Número de Producto del Fabricante:
RQ6P020ATTCR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RQ6P020ATTCR-DG
Descripción:
PCH -100V -2A POWER MOSFET: RQ6P
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 2A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Inventario:
5425 Pcs Nuevos Originales En Stock
13001127
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ENVIAR
RQ6P020ATTCR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
220mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
760 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
950mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TSMT6 (SC-95)
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número de producto base
RQ6P020
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
846-RQ6P020ATTCRDKR
846-RQ6P020ATTCRTR
846-RQ6P020ATTCRCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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