Número de Producto del Fabricante:
RS6R035BHTB1
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RS6R035BHTB1-DG
Descripción:
NCH 150V 35A, HSOP8, POWER MOSFE
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 35A (Tc) 3W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventario:
2474 Pcs Nuevos Originales En Stock
12992313
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
RS6R035BHTB1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
41mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1470 pF @ 75 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta), 73W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-HSOP
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
846-RS6R035BHTB1CT
846-RS6R035BHTB1TR
846-RS6R035BHTB1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IQDH88N06LM5CGATMA1
TRENCH 40<-<100V
FF2000XTR17IE5BPSA1
PP IHM I
FF6MR12W2M1HB70BPSA1
LOW POWER EASY