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Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
RT1A045APTCR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RT1A045APTCR-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 4.5A 8TSST
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 4.5A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
13527013
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ENVIAR
RT1A045APTCR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
30mOhm @ 4.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
-8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4200 pF @ 6 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
650mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-TSST
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead
Número de producto base
RT1A045
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
TSMT8 TR Taping Spec
Recursos de diseño
TSST8S Inner Structure
Documentos de confiabilidad
TSST8 MOS Reliability Test
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
RT1A045APTCRDKR
RT1A045APTCRCT
RT1A045APTCRTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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