Número de Producto del Fabricante:
RUM002N02T2L
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RUM002N02T2L-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Inventario:
724945 Pcs Nuevos Originales En Stock
13525777
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ENVIAR
RUM002N02T2L Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.2V, 2.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
25 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
150mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
VMT3
Paquete / Caja
SOT-723
Número de producto base
RUM002
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Recursos de diseño
Documentos de confiabilidad
Información Adicional
Paquete Estándar
8,000
Otros nombres
RUM002N02T2LDKR
RUM002N02T2LCT
RUM002N02T2LTR
RUM002N02T2L-ND
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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