Número de Producto del Fabricante:
RUQ050N02HZGTR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RUQ050N02HZGTR-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 5A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Inventario:
3964 Pcs Nuevos Originales En Stock
13080557
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ENVIAR
RUQ050N02HZGTR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
30mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
900 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
950mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TSMT6 (SC-95)
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número de producto base
RUQ050
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
846-RUQ050N02HZGCT
846-RUQ050N02HZGTR
846-RUQ050N02HZGDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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