Número de Producto del Fabricante:
SCT3080ALGC11
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
SCT3080ALGC11-DG
Descripción:
SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 134W (Tc) Through Hole TO-247N
Inventario:
1587 Pcs Nuevos Originales En Stock
13524212
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ENVIAR
SCT3080ALGC11 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
104mOhm @ 10A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
5.6V @ 5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
48 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
571 pF @ 500 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
134W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247N
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
SCT3080
Hoja de Datos y Documentos
Recursos de diseño
Documentos de confiabilidad
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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