Número de Producto del Fabricante:
SCT3080KLHRC11
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
SCT3080KLHRC11-DG
Descripción:
SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 165W Through Hole TO-247N
Inventario:
842 Pcs Nuevos Originales En Stock
13527145
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SCT3080KLHRC11 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
31A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
104mOhm @ 10A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
5.6V @ 5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
60 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
785 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
165W
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247N
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
SCT3080
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
RD3P050SNTL1
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
RS3E075ATTB
MOSFET P-CH 30V 8SOP
RRS100P03TB1
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
