Número de Producto del Fabricante:
SCT4026DEC11
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
SCT4026DEC11-DG
Descripción:
750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STR
Descripción Detallada:
N-Channel 750 V 56A (Tc) 176W Through Hole TO-247N
Inventario:
4919 Pcs Nuevos Originales En Stock
12977939
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SCT4026DEC11 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
750 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
56A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
34mOhm @ 29A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
4.8V @ 15.4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
94 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+21V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2320 pF @ 500 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
176W
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247N
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
SCT4026
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
846-SCT4026DEC11
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SCT3120AW7TL
SICFET N-CH 650V 21A TO263-7
SCT3060AW7TL
SICFET N-CH 650V 38A TO263-7
R8008ANJGTL
NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
