Número de Producto del Fabricante:
VT6M1T2CR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
VT6M1T2CR-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6
Inventario:
64626 Pcs Nuevos Originales En Stock
13525860
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ENVIAR
VT6M1T2CR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100mA
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7.1pF @ 10V
Potencia - Máx.
120mW
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-SMD, Flat Leads
Paquete de dispositivos del proveedor
VMT6
Número de producto base
VT6M1
Hoja de Datos y Documentos
Recursos de diseño
Documentos de confiabilidad
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
8,000
Otros nombres
VT6M1T2CRCT
VT6M1T2CRTR
VT6M1T2CRDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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