Número de Producto del Fabricante:
2SC2271E-AE
Product Overview
Fabricante:
Sanyo
Número de pieza:
2SC2271E-AE-DG
Descripción:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 50MHz 900 mW Through Hole 3-MP
Inventario:
6824 Pcs Nuevos Originales En Stock
12941616
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ENVIAR
2SC2271E-AE Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
NPN
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
300 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
600mV @ 2mA, 20mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
1µA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 10mA, 10V
Potencia - Máx.
900 mW
Frecuencia - Transición
50MHz
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Paquete de dispositivos del proveedor
3-MP
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,323
Otros nombres
ONSSNY2SC2271E-AE
2156-2SC2271E-AE
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
Not applicable
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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