Número de Producto del Fabricante:
SCT30N120D2
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
SCT30N120D2-DG
Descripción:
SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™
Inventario:
12875915
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ENVIAR
SCT30N120D2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
105 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1700 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
270W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
HiP247™
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
SCT30
Información Adicional
Paquete Estándar
490
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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