Número de Producto del Fabricante:
SCTH40N120G2V-7
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
SCTH40N120G2V-7-DG
Descripción:
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 36A (Tc) 238W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
Inventario:
12950592
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ENVIAR
SCTH40N120G2V-7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
36A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 20A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
4.9V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
61 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1233 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
238W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
H2PAK-7
Número de producto base
SCTH40
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
497-SCTH40N120G2V-7TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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