Número de Producto del Fabricante:
SCTH60N120G2-7
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
SCTH60N120G2-7-DG
Descripción:
SICFET N-CH 1200V 60A H2PAK-7
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 60A (Tc) 390W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
Inventario:
12985466
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
8SAz
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SCTH60N120G2-7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
52mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
94 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1969 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
390W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
H2PAK-7
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
497-SCTH60N120G2-7TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
AONS36352
MOSFET N-CH 30V DFN 5X6
PMN40XPEAX
SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
SCT4045DEHRC11
750V, 34A, 3-PIN THD, TRENCH-STR
