SCTWA70N120G2V-4
Número de Producto del Fabricante:

SCTWA70N120G2V-4

Product Overview

Fabricante:

STMicroelectronics

Número de pieza:

SCTWA70N120G2V-4-DG

Descripción:

DISCRETE
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 91A (Tc) 547W Through Hole TO-247-4

Inventario:

12996620
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SCTWA70N120G2V-4 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
91A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
30mOhm @ 50A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
4.9V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
150 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3540 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
547W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4
Paquete / Caja
TO-247-4
Número de producto base
SCTWA70

Información Adicional

Paquete Estándar
600
Otros nombres
497-SCTWA70N120G2V-4

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
sanyo

2SJ646-TL-E

2SJ646 - P-CHANNEL SILICON MOSFE

nxp-semiconductors

PMK50XP,518

NEXPERIA PMK50XP - 7.9A, 20V, 0.

infineon-technologies

IPD42DP15LMATMA1

TRENCH >=100V PG-TO252-3

international-rectifier

AUIRFS4115-7P

AUIRFS4115 - 120V-300V N-CHANNEL