Número de Producto del Fabricante:
SGT120R65AL
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
SGT120R65AL-DG
Descripción:
650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 192W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV
Inventario:
12 Pcs Nuevos Originales En Stock
12995342
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ENVIAR
SGT120R65AL Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
15A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V
rds activados (máx.) @ id, vgs
120mOhm @ 5A, 6V
vgs(th) (máx.) @ id
2.6V @ 12mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3 nC @ 6 V
Vgs (máx.)
+6V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
125 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
192W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerFlat™ (5x6) HV
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
SGT120
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
497-SGT120R65ALTR
497-SGT120R65ALCT
497-SGT120R65ALDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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