Número de Producto del Fabricante:
STB25NM60N-1
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STB25NM60N-1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventario:
12877561
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ENVIAR
STB25NM60N-1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
MDmesh™ II
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
21A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
160mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2400 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
160W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
497-5730
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK20G60W,RVQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
TK20G60W,RVQ-DG
PRECIO UNITARIO
1.14
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXFA22N65X2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
250
NÚMERO DE PIEZA
IXFA22N65X2-DG
PRECIO UNITARIO
2.56
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
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FABRICANTE
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CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
SIHB22N60AE-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
1.63
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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