Número de Producto del Fabricante:
STB28N60DM2
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STB28N60DM2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
1791 Pcs Nuevos Originales En Stock
12875191
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ENVIAR
STB28N60DM2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ DM2
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
21A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
160mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
STB28
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
497-16349-6
497-16349-2
497-16349-1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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