Número de Producto del Fabricante:
STB30N65DM6AG
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STB30N65DM6AG-DG
Descripción:
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 28A (Tc) 223W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
999 Pcs Nuevos Originales En Stock
12993616
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
STB30N65DM6AG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ DM2
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
28A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
115mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.75V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2000 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
223W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
497-STB30N65DM6AGTR
497-STB30N65DM6AGDKR
497-STB30N65DM6AGCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SI3415BS-TP
Interface
MCG40N10Y-TP
Interface
RX3P10BBHC16
NCH 100V 100A, TO-220AB, POWER M
