Número de Producto del Fabricante:
STB33N60M6
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STB33N60M6-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12973548
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
STB33N60M6 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ M6
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
25A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
125mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.75V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
33.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1515 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
190W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
STB33
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
497-STB33N60M6TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
DMP3021SFVWQ-7
MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
IQE030N06NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
IPP330P10NMAKSA1
TRENCH >=100V PG-TO220-3
