Número de Producto del Fabricante:
STB35N60DM2
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STB35N60DM2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12875164
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ENVIAR
STB35N60DM2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ DM2
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
28A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
110mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2400 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
210W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
STB35
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
497-16357-6
497-16357-1
497-16357-2
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPB60R099CPATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
1212
NÚMERO DE PIEZA
IPB60R099CPATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
3.99
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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