Número de Producto del Fabricante:
STB36N60M6
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STB36N60M6-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12876311
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ENVIAR
STB36N60M6 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ M6
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
99mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.75V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
44.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1960 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
STB36
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
STB36N60M6-DG
497-18734-6
497-18734-1
497-18734-2
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPB60R125C6ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
2357
NÚMERO DE PIEZA
IPB60R125C6ATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
2.54
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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