Número de Producto del Fabricante:
STB8NM60T4
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STB8NM60T4-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventario:
12875810
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
STB8NM60T4 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
400 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
STB8NM60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
497-5386-1
STB8NM60T4-DG
497-5386-2
497-5386-6
1026-STB8NM60T4
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
R6004KNJTL
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
R6004KNJTL-DG
PRECIO UNITARIO
0.81
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
STU10NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
STL22N65M5
MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT HV
STP3NK50Z
MOSFET N-CH 500V 2.3A TO220AB
