Número de Producto del Fabricante:
STB9NK80Z
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STB9NK80Z-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 5.2A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventario:
12881022
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ENVIAR
STB9NK80Z Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
SuperMESH™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.8Ohm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1138 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
STB9
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
497-13936-6
497-13936-1
STB9NK80Z-DG
497-13936-2
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXFA7N80P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
257
NÚMERO DE PIEZA
IXFA7N80P-DG
PRECIO UNITARIO
1.67
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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