STD11NM60N-1
Número de Producto del Fabricante:

STD11NM60N-1

Product Overview

Fabricante:

STMicroelectronics

Número de pieza:

STD11NM60N-1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventario:

12876275
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STD11NM60N-1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
MDmesh™ II
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
450mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
850 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I-PAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
STD11

Información Adicional

Paquete Estándar
75
Otros nombres
497-5963-5

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
TK11P65W,RQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
485
NÚMERO DE PIEZA
TK11P65W,RQ-DG
PRECIO UNITARIO
0.74
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
SPD08N50C3ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
12211
NÚMERO DE PIEZA
SPD08N50C3ATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.77
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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CANTIDAD DISPONIBLE
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PRECIO UNITARIO
0.51
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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FCD600N60Z
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CANTIDAD DISPONIBLE
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NÚMERO DE PIEZA
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PRECIO UNITARIO
0.77
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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