Número de Producto del Fabricante:
STD7NM80-1
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STD7NM80-1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 6.5A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventario:
100 Pcs Nuevos Originales En Stock
12877349
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ENVIAR
STD7NM80-1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
MDmesh™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.05Ohm @ 3.25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
620 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251 (IPAK)
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
STD7
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
STD7NM801
STD7NM80-1-DG
-497-12787-5
497-12787-5
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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