Número de Producto del Fabricante:
STFI11N60M2-EP
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STFI11N60M2-EP-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V I2PAK-FP
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Inventario:
12871000
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ENVIAR
STFI11N60M2-EP Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
MDmesh™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
595mOhm @ 3.75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.75V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
390 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAKFP (TO-281)
Paquete / Caja
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Número de producto base
STFI11N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STF10N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
2606
NÚMERO DE PIEZA
STF10N60M2-DG
PRECIO UNITARIO
0.53
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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