Número de Producto del Fabricante:
STH180N4F6-2
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STH180N4F6-2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Inventario:
12873268
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ENVIAR
STH180N4F6-2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
-
Serie
STripFET™ F6
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7735 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
190W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
H2PAK-2
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
STH180
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
PSMN1R1-40BS,118
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
3918
NÚMERO DE PIEZA
PSMN1R1-40BS,118-DG
PRECIO UNITARIO
1.44
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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