STI28N60M2
Número de Producto del Fabricante:

STI28N60M2

Product Overview

Fabricante:

STMicroelectronics

Número de pieza:

STI28N60M2-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventario:

6000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12880048
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STI28N60M2 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Tube
Serie
MDmesh™ M2
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
22A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
150mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1440 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262 (I2PAK)
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
STI28

Hoja de Datos y Documentos

Información Adicional

Paquete Estándar
30
Otros nombres
497-17621
2266-STI28N60M2

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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