Número de Producto del Fabricante:
STL18NM60N
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STL18NM60N-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 2.1A (Ta), 12A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Inventario:
2686 Pcs Nuevos Originales En Stock
12872789
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
STL18NM60N Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Cut Tape (CT)
Serie
MDmesh™ II
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.1A (Ta), 12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
310mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1000 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta), 110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerFlat™ (8x8) HV
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
STL18
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
-497-11847-6
-497-11847-2
497-11847-2
497-11847-1
497-11847-6
-497-11847-1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
STF20N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
STD13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
STD3NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
