Número de Producto del Fabricante:
STL19N60DM2
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
Número de pieza:
STL19N60DM2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Inventario:
99 Pcs Nuevos Originales En Stock
12880502
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ENVIAR
STL19N60DM2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalaje
Cut Tape (CT)
Serie
MDmesh™ DM2
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
320mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerFlat™ (8x8) HV
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
STL19
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
-1138-STL19N60DM2CT
497-16361-6
-1138-STL19N60DM2DKR
497-16361-1
497-16361-2
-1138-STL19N60DM2TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STB13N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
2210
NÚMERO DE PIEZA
STB13N60M2-DG
PRECIO UNITARIO
0.86
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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